Транзистор 2SB80 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB80. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 4W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 60єC
Граничная частота (Fгр): 3MHz
Коэффициент усиления (hFE): 70T
Производитель: HITACHI
Применение: Power, General Purpose

Аналоги

2N2835 AD162 P213

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.