Транзистор 2SB859 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB859. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 4A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 60/200
Производитель: HITACHI
Применение: Power, General Purpose

Аналоги

2N6047 2N6476 2SB703 BD244C ECG292 KT818G

В справочнике: 6 из 6. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.