Транзистор 2SD33 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD33. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
FUJITSU
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SD33 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее