Транзистор 2SD352 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD352. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 32V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 12V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 85 єC
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: MATSUSHITA
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N2430 2SD72 AC127 ECG103A GT404A

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.