Транзистор 2SD66 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD66. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
120mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Коэффициент усиления (hFE)
15MIN
Производитель
HITACHI
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SD66 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее