Транзистор AF128 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора AF128. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
12mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
9V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
6V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
75єC
Граничная частота (Fгр)
6MHz
Коэффициент усиления (hFE)
25MIN
Производитель
SIEMENS
Применение
Low Power, Switching, High Frecvency

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать AF128 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее