Транзистор BDW51B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BDW51B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 117W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 15A
Температура перехода (Tj): 200єC
Граничная частота (Fгр): 3MHz
Коэффициент усиления (hFE): 20/150
Производитель: STE
Применение: High Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

2N5632 BD317 BDW51C KT819GM MJ802

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.