Транзистор BUR51 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BUR51. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
300V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
60A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
10MHz
Коэффициент усиления (hFE)
10MIN
Производитель
STE
Применение
Power, High Voltage, General Purpose
Искать BUR51 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее