Транзистор GT109D pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT109D. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
30mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
10V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
6V
Ток коллектора (Iк)
20mA
Температура перехода (Tj)
80єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
40
Коэффициент усиления (hFE)
25/70
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT109D в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее