Транзистор GT115A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT115A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
50mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
20W
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
80єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
20/80
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power, General Purpose
Искать GT115A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее