Транзистор GT308A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT308A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
150mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
90MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
8
Коэффициент усиления (hFE)
20/75
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power High Frequency

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее