Транзистор GT313V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT313V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 15V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 15V
Ток коллектора (Iк): 30mA
Температура перехода (Tj): 70єC
Граничная частота (Fгр): 350MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 2.5
Коэффициент усиления (hFE): 30/170
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Аналоги

2N1141 2N1431 2N1742 2N2786A 2N3320 2N3321 2N3322 2N700 2N741 2N741A 2SA126 2SA146 2SA147 2SA148 2SA149 2SA151 2SA152 2SA161 2SA162 2SA163 2SA164 2SA165 2SA166 2SA176 2SA178 2SA190 2SA191 2SA192 2SA197 2SA198 2SA199 2SA200 2SA239 2SA240 2SA247 2SA249 2SA261 2SA262 2SA263 2SA276 2SA292 2SA293 2SA294 2SA301 2SA328 2SA329 2SA330 2SA331 2SA332 2SA333 2SA334 2SA336 2SA337 2SA389 2SA390 2SA423 2SA424 2SA465 2SA54 2SA56 GF501 GF503 GF514

В справочнике: 63 из 63. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT313V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.