Транзистор GT402I pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT402I. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
600mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
30/80
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее