Транзистор GT403V pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора GT403V. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 4W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 60V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 45V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 20V
- Ток коллектора (Iк)
- 1.2A
- Температура перехода (Tj)
- 85єC
- Граничная частота (Fгр)
- 1MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20/60
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Medium Power, General Purpose
Аналоги
2CY18
2CY19
2G381
2G382
2NU72
2SAB30
2SAB31
2SB142
2SB143
2SB143P
2SB144
2SB144P
2SB145
2SB146
2SB147
2SB18
3NU72
4NU72
AD152
AD164
ADP665
ASY76
ASY80
PN2667
В справочнике: 23 из 24. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать GT403V в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.