Транзистор GT806A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT806A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 30W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 75V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1V
Ток коллектора (Iк): 15A
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 10/100
Производитель: RUSSIA
Применение: Power, General Purpose

Аналоги

2SB137 2SB138 2SB138A 2SB138B 2SB140 2SB141 2SB149 2SB149N 2SB361 2SB425 2SB426 2SB426-B 2SB426-R 2SB426-Y 2SB426A AUY35 AUY35-4 AUY35-5 AUY35-6

В справочнике: 19 из 19. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT806A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.