Транзистор GT806V pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора GT806V. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 30W
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 120V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 1V
- Ток коллектора (Iк)
- 15A
- Температура перехода (Tj)
- 85єC
- Граничная частота (Fгр)
- 10MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 10/100
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- High Power, High Voltage
Аналоги
2SB231
2SB300
2SB301
2SB362
AL100
AL100-4
AL100-5
AL100-6
AL102
AL102-4
AL102-5
AL102-6
AL103
AU108
AUY38
AUY38-4
AUY38-5
AUY38-6
В справочнике: 18 из 18. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать GT806V в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.