Транзистор KT312V npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT312V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 225mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 30mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 120MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 5
Коэффициент усиления (hFE): 50/280
Производитель: RUSSIA
Применение: RF, Low power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.