Транзистор KT358B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT358B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
120MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
5
Коэффициент усиления (hFE)
25/100
Производитель
RUSSIA
Применение
RF, Low power
Искать KT358B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее