Транзистор KT501I pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT501I. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
45V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
45V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
20V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
50
Коэффициент усиления (hFE)
40/120
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT501I в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее