Транзистор KT659A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT659A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
1W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
1.2A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
300MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
35MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT659A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее