Транзистор KT666A9 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора KT666A9. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 300mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 300V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 300V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 20mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 40MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 50MIN
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- High Frequency, Medium Power
Искать KT666A9 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.