Транзистор KT684V npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT684V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
40MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
50
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать KT684V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее