Транзистор KT807BM npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT807BM. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 10W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 5MHz
Коэффициент усиления (hFE): 30/100
Производитель: RUSSIA
Применение: Medium Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.