Транзистор KT812V npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT812V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
50W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
8A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
100
Коэффициент усиления (hFE)
4MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
High Power, High Voltage, General Purpose
Искать KT812V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее