Транзистор KT816G pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT816G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 25W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 6A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 3MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 60
Коэффициент усиления (hFE): 25MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.