Транзистор KT885B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT885B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
150W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
800V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
500V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
40A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
15MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
100
Коэффициент усиления (hFE)
12MIN
Производитель
RUSSIA
Искать KT885B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее