Транзистор MJ10012 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора MJ10012. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
175W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
550V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
10A
Температура перехода (Tj)
200єC
Ёмкость коллектора (Cк)
350
Коэффициент усиления (hFE)
300MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Darlington, Power

Аналоги

В справочнике: 6 из 6. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать MJ10012 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее