Транзистор NKT219 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора NKT219. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
32V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
18V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
250mA
Температура перехода (Tj)
90єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Ёмкость коллектора (Cк)
60
Коэффициент усиления (hFE)
85MIN
Производитель
NWM
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать NKT219 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее