Транзистор NKT655 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора NKT655. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 65mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 20V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 12V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 1V
- Ток коллектора (Iк)
- 10mA
- Температура перехода (Tj)
- 75єC
- Граничная частота (Fгр)
- 40MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 3
- Коэффициент усиления (hFE)
- 60MIN
- Производитель
- NWM
- Применение
- RF, Low Power, General Purpose
Искать NKT655 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.