Транзистор P216G pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора P216G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 24W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 15V
Ток коллектора (Iк): 7.5A
Температура перехода (Tj): 75єC
Коэффициент усиления (hFE): 5MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: Power, General Purpose

Аналоги

2N5890

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.