Чип индуктивности

Позиций: 974

Цены и сроки поставки — по запросу.

Наименование
7443556350 WE-HCI 1890 3.5 uH 22.5A
Запросить
7443556450 WE-HCI 1890 4.5 uH 20.5A
Запросить
7443556560 WE-HCI 1890 5.6 uH 19A
Запросить
7443556680 WE-HCI 1890 6.8 uH 18.5A
Запросить
74435571100 WE-HCI 1890 10uH 16.5A
Запросить
74435571500 WE-HCI 1890 15uH 14A
Запросить
74435572200 WE-HCI 1890 22uH 11A
Запросить
74435573300 WE-HCI 1890 33uH 8.5A
Запросить
744766215
Запросить
74477010 WE-PD 1280 10 uH 6.2A
Запросить
744770122 WE-PD 1280 22 uH 4.1A
Запросить
744771115  инд 15 uH 3,75A type L
Запросить
744771122 22mH 3.77A
Запросить
744771147 ( WEPD 47uH)
Запросить
7447713151 WE-PD 1030 150 uH 0.7A
Запросить
7447714015 WE-PD 1050 1.5 uH 10A
Запросить
7447714022 WE-PD 1050 2.2 uH 8.6A
Запросить
7447714033 WE-PD 1050 3.3 uH 7.5A
Запросить
7447714047 WE-PD 1050 4.7 uH 7A
Запросить
7447714056 WE-PD 1050 5.6 uH 6A
Запросить
7447714100 WE-PD 1050 10 uH 4.3A
Запросить
7447714101 WE-PD 1050 100 uH 1.5A
Запросить
7447714150 WE-PD 1050 15 uH 3.5A
Запросить
7447714151 WE-PD 1050 150 uH 1.2A
Запросить
7447714220 WE-PD 1050 22 uH 3A
Запросить
7447714330 WE-PD 1050 33 uH 2.5A
Запросить
7447714470 WE-PD 1050 47 uH 2.2A
Запросить
7447714560 WE-PD 1050 56 uH 2A
Запросить
7447714680 WE-PD 1050 68 uH 1.9A
Запросить
7447714820 WE-PD 1050 82 uH 1.6A
Запросить
744772033 WE-TI L 3,3uH 5.0A
Запросить
744775168А type L 68 uH, 0.85 A
Запросить
74477620A XL 100UH
Запросить
744776233A XL 330UH
Запросить
7447785001 XS 1uH
Запросить
7447785004 XS 4.7uH
Запросить
ANCW12G45SAA117RD3
Запросить
B82450A2364A
Запросить
CF453215-270K
Запросить
CM322522-101KL
Запросить
CM322522-470KL
Запросить
ISC1812ER101K
Запросить
LDB182G4510C-110
Запросить
SDR0403-271KL 270uH K
Запросить
SDR0403-330KL 33uH K
Запросить
SDR0403-331KL 330uH K
Запросить
SDR0403-471KL 470uH K
Запросить
SDR0403-561KL 560uH K
Запросить
SDR0403-680KL 68uH K
Запросить
SDR0403-681KL 680uH K
Запросить

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее