Транзистор 2G110 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2G110. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 140mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 18V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 15V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 2V
- Ток коллектора (Iк)
- 100mA
- Температура перехода (Tj)
- 100єC
- Граничная частота (Fгр)
- 100MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 5
- Коэффициент усиления (hFE)
- 15MIN
- Производитель
- TI
- Применение
- Low Power, Switching, High Frecvency
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2G110 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.