Транзистор GT308B pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT308B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 11V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 150mA
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 120MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 8
Коэффициент усиления (hFE): 50/120
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Аналоги

2G110 2N1683 2N1854 2N2048 2N2048A 2N2400 2N838 2SA412 2SA427 2SA428 2SA433 2SA457 2SA468 2SA469 2SA470 2SA471 2SA472 2SA474 2SA475 2SA476 2SA477 2SA517 2SA518 2SA631 AF106 T2211 T2490 TA1763B

В справочнике: 28 из 28. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT308B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.