Транзистор 2SB1115 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1115. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 750mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 9V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 165єC
Граничная частота (Fгр): 60MHz
Коэффициент усиления (hFE): 80/160
Производитель: HITACHI
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N5111 2SB1118 2SB1119 BCX52 KT639E

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.