Транзистор 2SB1118 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1118. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 750mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 9V
Ток коллектора (Iк): 700mA
Температура перехода (Tj): 165єC
Граничная частота (Fгр): 250MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 13
Коэффициент усиления (hFE): 140/560
Производитель: HITACHI
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N5111 2SB1115 2SB1119 BC869 KT639E

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.