Транзистор 2SB302 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB302. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
40mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
2mA
Температура перехода (Tj)
75єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Коэффициент усиления (hFE)
80T
Производитель
HITACHI
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB302 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее