Транзистор GT109E pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT109E. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 30mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 10V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 6V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 80єC
Граничная частота (Fгр): 5MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 40
Коэффициент усиления (hFE): 50/100
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

2N139 2N218 2N219 2N404 2SB302 AC125

В справочнике: 6 из 6. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.