Транзистор 2G306 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2G306. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 200mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 20V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 20V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 10V
- Ток коллектора (Iк)
- 300mA
- Температура перехода (Tj)
- 100єC
- Граничная частота (Fгр)
- 12MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 15
- Коэффициент усиления (hFE)
- 90MIN
- Производитель
- TI
- Применение
- RF, Low Power, General Purpose
Искать 2G306 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.