Транзистор GT403B pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT403B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 4W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 45V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 20V
Ток коллектора (Iк): 1.2A
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 1MHz
Коэффициент усиления (hFE): 50/150
Производитель: RUSSIA
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2G138 2G139 2G301 2G302 2G303 2G304 2G306 2G339 2N1280 2N1281 2N1282 2N1284 2N1303 2N249 2N2687 2N414 2N414A 2N414B 2N414C 2N415 2N415A 2N416 2N417 2N425 2N426 2N427 2N428 2N428A 2N597 2N598 2N599 2NU72 2S105 2S106 2SAB17A 2SB17A 3NU72 4NU72 AD152 AD164 ADP665 ASY10 ASY11 ASY12 ASY12-1 ASY12-2 ASY13 ASY13-1 ASY13-2 ASY14 ASY14-1 ASY14-2 ASY14-3 ASY25 ASY37 ASY48 ASY48IV ASY48V ASY48VI ASY49 ASY51 ASY52 ASY54 ASY55 ASY60 ASY63 ASY70VI ASY71 ASY76RT ASY80 ASY80RT ASY82 ASY84 ASY85 ASY90 ASY91 T1326 T1334 T1346 T1904 T2159 T3004 T3005

В справочнике: 82 из 83. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT403B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.