Транзистор 2N1990 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1990. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 600mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 100V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 60V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 3V
- Ток коллектора (Iк)
- 1A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 40MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 20
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20MIN
- Производитель
- MOTOROLA
- Применение
- Low Power, Medium Voltage, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2N1990 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.