Транзистор 2N3216 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N3216. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 10V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 90єC
Граничная частота (Fгр): 9MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 20
Коэффициент усиления (hFE): 60MIN
Производитель: TI
Применение: Medium Power, Switching, High Frequency

Аналоги

2N1305 2SA415 ASY27 ECG100 GT321V

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.