Транзистор GT321V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT321V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
160mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
60MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
80
Коэффициент усиления (hFE)
80/200
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power High Frequency

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее