Транзистор 2N3835 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N3835. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
1W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
1GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
1.7
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
TI
Применение
UHF, Low Power

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N3835 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее