Транзистор 2N417 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N417. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
20V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
8MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
20
Коэффициент усиления (hFE)
140T
Производитель
CSR
Применение
Medium Power, Switching, High Frequency

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N417 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее