Транзистор 2S135 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2S135. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
30mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
15V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
5mA
Температура перехода (Tj)
75єC
Граничная частота (Fгр)
4MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
4
Коэффициент усиления (hFE)
24T
Производитель
FUJITSU
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2S135 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее