Транзистор P416 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора P416. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 12V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 25mA
Температура перехода (Tj): 75єC
Граничная частота (Fгр): 40MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 8
Коэффициент усиления (hFE): 20/80
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power, High Frequency

Аналоги

2N1094 2N2059 2N3588 2N602 2N602A 2N603 2N603A 2N643 2N644 2S133 2S134 2S135 2S169 SFT319 SFT320 TA1796 TA1797

В справочнике: 17 из 17. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.