Транзистор 2SA399 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA399. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
20V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Коэффициент усиления (hFE)
35MIN
Производитель
MATSUSHITA
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SA399 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее