Транзистор 2SB212 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB212. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 80W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 40V
Ток коллектора (Iк): 30A
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 100KHz
Коэффициент усиления (hFE): 50/100
Производитель: SHINDENGEN
Применение: Power, General Purpose

Аналоги

2N1533 2N3125 2N5156 2SB214 ADY32 ECG179 GT813V

В справочнике: 6 из 7. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.