Транзистор GT813V pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора GT813V. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 50W
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 150V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 2V
- Ток коллектора (Iк)
- 40A
- Температура перехода (Tj)
- 85єC
- Коэффициент усиления (hFE)
- 10/60
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- High Power, High Voltage
Аналоги
2N1073B
2N6064
2N6065
2N6066
2SB203
2SB204
2SB205
2SB206
2SB207
2SB207A
2SB208
2SB208A
2SB209
2SB210
2SB211
2SB212
2SB213
2SB213A
2SB214
2SB214A
2SB232
2SB233
2SB234
2SB258
2SB296
2SB310
2SB312
2SB343
2SB363
2SB366
2SB375
2SB375A
2SB410
2SB410AF
2SB441
2SB442
2SB442H
2SB485
В справочнике: 38 из 38. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать GT813V в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.