Транзистор 2SB276 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB276. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 12W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 120V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 105V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 1V
- Ток коллектора (Iк)
- 10A
- Температура перехода (Tj)
- 75єC
- Граничная частота (Fгр)
- 400KHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 35T
- Производитель
- FUJITSU
- Применение
- High Power, High Voltage, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2SB276 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.